2月底國際固態元件線路會議(ISSCC 2021)上，Western Digital宣布跟日本Kioxia成功研發出第六代162層3D NAND Flash閃存技術，其堆疊層數已超越128層領域，令儲存空間更大，密度更高，以針對數據中心等資料應用。雙方指新技術採用超越傳統8層交錯式儲存孔陣列架構，其橫向單元陣列密度較上一代技術提高約10%，也能夠使晶圓尺寸減小約40%，從而降低成本。另外，新技術又採用陣列CMOS電路布局和四路同時操作，較上代產品相比，程序性能可提高近2.4倍，讀取延遲減少約10%，I/O性能提高約66%，協助下一代端子滿足不斷增長的高傳輸速率需求。
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